三星开发 FeFET 存储芯片，可节省高达 96% 的电量！ • 贾加特评论
1764538979 2025-11-30 21:07:00 三星刚刚宣布了一项新的非易失性存储芯片技术，该技术可能成为半导体领域的重大突破。这项技术被称为铁电场效应晶体管或 FeFET，据称能够在不增加功耗的情况下增加存储容量。未来会取代NAND吗？ 举例来说，NAND芯片的主要问题是其高功耗。 NAND结构使多个存储单元相互连接，因此在读取一个数据时，还必须向其他单元供电。因此，芯片容量越大，所需的功率就越高。 为了克服这个问题，三星研究团队创建了一种基于 FeFET 的新型系统，采用氧化铪和锆的铁电材料组合。这种材料即使在不连接电源的情况下也能保持其电荷，使其更加高效和稳定。因此，FeFET 芯片每个单元最多可以存储 5 位数据，并且功耗非常低。 从测试结果来看，该技术据称比普通NAND芯片能够节省高达96%的功耗。有趣的是，即使在 25 纳米的尺寸下，FeFET 在非常小的三维设计中也能保持稳定。这为未来制造更密集、更快、更节能的芯片提供了巨大的机会。 三星称 FeFET 为未来（非易失性）存储技术，具有大容量和非凡功效的优势。目前还处于研究阶段，但如果真正应用于商业产品，这款芯片可能是需要大容量存储的AI行业的理想解决方案。 来源 #三星开发 #FeFET #存储芯片可节省高达 #的电量 #贾加特评论